首先来看单相逆变不间断电源设计电路中的全桥逆变电路部分。

它是由两个IR2101驱动和4个MOS管构成的全桥逆变电路。有人会说了，IR2101不是半桥驱动芯片吗？没错，的确是半桥驱动芯片，和IR2104一样的，常被用在三相逆变电路中做三个半桥驱动逆变电路来生成三相波。那组成全桥逆变电路又是什么原理呢。

我们首先来看一下IR2101的常用连接电路和内部电路。

看这些可能看不明白，结合内部电路和我们的设计电路来一起看就会清楚很多。我们都知道MOS管需要高电平导通工作（大概15V±5V左右）。

通常把直流电变成交流电的过程叫做逆变，完成逆变功能的电路称为 逆变电路 。本文主要介绍 全桥 逆变电路 的拓扑结构、逆变原理及控制方法、单相逆变的软件实现思路，并结合simulink、proteus仿真软件进行仿真验证。}; ①U6导通，U9和U8轮流导通，先让U8导通，该过程给电感储能，电流方向向左，然后让U9导通，电感电流方向不变，电感在续流，电感两端的电压相等，但为了保持自身的电流不变，还是会向左流，但会减小。即在储能的时候电流上升，续流的时候电流下降。(4)mos管导通，然后突然关断掉，有两个寄生电感，电感的电流不能突变，本来是导通的，VDS等于0，电感的电流本来在往下流，突然关断电感会产生一个尖峰电压(U=Ldi/dt)，电感的感量(L)不变，U就增大，有了C61(C2、C6、C7、C8)可以把这个电压尖峰吸收掉。 在t0时刻，Q1、Q3的门级驱动信号到达，同时Q2、Q4因门级信号撤除而关断，输出电压为Ud，由于负载的电感性质，负载电流滞后输出电压一个角度，在此期间负载电流为负，这意味着在t0时刻负载电流从Q2、Q4切换到桥臂对管Q1、Q3的反并联二极管D1、D3，这一过程称为。单向桥式方波 逆变电路 输出电压为交变方波，与负载性质无关，其频率可以通过改变驱动信号的频率来调节，但其电压的形状和幅值均不调节。完成单相 全桥 方波 逆变电路 的仿真，开关管选择IGBT，频率50Hz，直流电压300V，阻感负载，电阻1欧，电感2mH。 将变压器输出的高频交流信号整流为直流电，并进行滤波，输出稳定的直流电压。：将 逆变电路 产生的高频交流信号进行变压（升压或降压），并进行隔离。：用于整流，选择快恢复二极管，因为高频下普通二极管的恢复时间太长。： 逆变电路 的主要作用是将直流电源的电压转换成高频交流电压。：这是关键的元件，通过快速的开关动作来控制电流方向。：用于限制电流的快速变化，起到平滑电流的作用。：用于平滑直流输出。 2、当V1截止V2截止时，由于L的作用，电流的值不能突变，此时电流的途径为L->R->C2->VD2->L，此时L为能量提供源，电流时间与L的大小有关;2、当V1导通，V2、V3、V4均截止时(V3的基极信号与V1相差θ)，电流途径为V1->R->L-VD3->V1;当V2导通，V1、V3、V4截止时，电流途径为V2->VD4->L->R->V2;1、当V1、V4导通,V3、V4截止时，电流途径为V1->R->L->V4;4、当V1、V4截止，V2、V4导通时，电流途径为V3->L->R->V2; 由内部框图及输入输出时序图可知：HIN输入高则HO输出高，输入低则输出低。低端也一样。 由典型应用电路图 分析 ：当HIN,LIN同时输入高，下管要先于上管导通因为只有下管先导通上管才能形成回路， 同时VCC对电容充电，当上管完全导通后电容开始对MOS放电，放电到GSth之前要把上管关闭，放电时间是我 们PWM信号的高电